17日公布的《半导体照明节能产业规划》明确,促进LED照明节能产业产值年均增长30%左右,2015年达到4500亿元(其中LED照明应用产品1800亿元)。
我国将对LED照明节能产业结构进一步优化,建成一批特色鲜明的半导体照明产业集聚区。形成10-15家掌握核心技术、拥有较多自主知识产权和知名品牌、质量竞争力强的龙头企业。
提高设备和技术国产化水平是《规划》的重点内容。《规划》提出,到2015年,LED芯片国产化率达80%以上,硅基LED芯片取得重要突破。核心器件的发光效率与应用产品的质量达到国际同期先进水平。大型MOCVD装备、关键原材料实现国产化,检测设备国产化率达70%以上。
为实现上述目标,有关部门将在推广应用、技术创新、产业服务及重点工程等方面下功夫。其中,重点工程总共实施四项。一是照明产品应用示范与推广工程,逐步加大财政补贴LED照明产品推广力度,适时进入家居照明领域。二是产业化关键技术研发工程,大力发展大尺寸外延芯片制备、集成封装等产业化关键技术。三是核心装备及配套材料技术创新工程,着力推进核心装备的引进消化吸收和再创新,力争实现生产型MOCVD设备量产。四是标准检测及认证体系建设工程,加快制定与出台LED照明产品检测方法、性能、安全、规格、接口等国家标准、行业标准。
《规划》提出一系列具体的保障措施和鼓励政策,值得特别关注的有三:其一,我国将实施半导体照明生产设备关键零部件及原材料的进口税收优惠政策,建立行业“领跑者”制度;其二,逐步扩大财政补贴推广力度,适时将球泡灯等量大面广、技术成熟的LED照明产品纳入补贴范围;其三,推动实施一批政府办公楼、医院、宾馆、商厦、机场、轨道交通、道路等公共照明应用工程,落实节能产品政府采购政策,政府机关和公共机构带头采用LED照明产品。
我国将对LED照明节能产业结构进一步优化,建成一批特色鲜明的半导体照明产业集聚区。形成10-15家掌握核心技术、拥有较多自主知识产权和知名品牌、质量竞争力强的龙头企业。
提高设备和技术国产化水平是《规划》的重点内容。《规划》提出,到2015年,LED芯片国产化率达80%以上,硅基LED芯片取得重要突破。核心器件的发光效率与应用产品的质量达到国际同期先进水平。大型MOCVD装备、关键原材料实现国产化,检测设备国产化率达70%以上。
为实现上述目标,有关部门将在推广应用、技术创新、产业服务及重点工程等方面下功夫。其中,重点工程总共实施四项。一是照明产品应用示范与推广工程,逐步加大财政补贴LED照明产品推广力度,适时进入家居照明领域。二是产业化关键技术研发工程,大力发展大尺寸外延芯片制备、集成封装等产业化关键技术。三是核心装备及配套材料技术创新工程,着力推进核心装备的引进消化吸收和再创新,力争实现生产型MOCVD设备量产。四是标准检测及认证体系建设工程,加快制定与出台LED照明产品检测方法、性能、安全、规格、接口等国家标准、行业标准。
《规划》提出一系列具体的保障措施和鼓励政策,值得特别关注的有三:其一,我国将实施半导体照明生产设备关键零部件及原材料的进口税收优惠政策,建立行业“领跑者”制度;其二,逐步扩大财政补贴推广力度,适时将球泡灯等量大面广、技术成熟的LED照明产品纳入补贴范围;其三,推动实施一批政府办公楼、医院、宾馆、商厦、机场、轨道交通、道路等公共照明应用工程,落实节能产品政府采购政策,政府机关和公共机构带头采用LED照明产品。
展商动态更新时间:2013-10-27